Корзина
–11%
Коммутатор ВЧ SPDT HMC849 DC-6 ГГц, модуль с изоляцией до 60 дБ, питание 3-5 В, разъемы SMA, фото 2
Коммутатор ВЧ SPDT HMC849 DC-6 ГГц, модуль с изоляцией до 60 дБ, питание 3-5 В, разъемы SMA, фото 3
Коммутатор ВЧ SPDT HMC849 DC-6 ГГц, модуль с изоляцией до 60 дБ, питание 3-5 В, разъемы SMA, фото 1
Коммутатор ВЧ SPDT HMC849 DC-6 ГГц, модуль с изоляцией до 60 дБ, питание 3-5 В, разъемы SMA, фото 4
Коммутатор ВЧ SPDT HMC849 DC-6 ГГц, модуль с изоляцией до 60 дБ, питание 3-5 В, разъемы SMA, фото 5

Коммутатор ВЧ SPDT HMC849 DC-6 ГГц, модуль с изоляцией до 60 дБ, питание 3-5 В, разъемы SMA

Описание
Характеристики
Информация для заказа

ВЧ-коммутатор SPDT HMC849 DC-6 ГГц, модуль с изоляцией до 60 дБ, питание 3-5 В, разъемы SMA

Основные характеристики:

МикросхемаHMC849
КонфигурацияSPDT
Диапазон частотDC-6 ГГц
Изоляциядо 60 дБ
Напряжение питания3-5 В
РазъемSMA

HMC849 — Высококачественный SPDT RF-коммутатор DC-6 ГГц с выдающейся изоляцией (breakout-модуль).

Профессиональный SPDT переключатель (Single Pole Double Throw) на базе чипа Analog Devices HMC849ALP4CE в удобном исполнении с SMA-разъёмами. Идеален для задач, где нужна максимальная изоляция и минимальные потери сигнала в диапазоне от постоянного тока до 6 ГГц.

Ключевые преимущества:

Рабочий диапазон: DC – 6 ГГц (отлично подходит для Wi-Fi, 4G/5G, LoRa, SDR, радиолокации, тестового оборудования)

Типичная изоляция: до 60 дБ (очень высокая — сигнал на отключённом порту практически отсутствует!)

Вносимые потери: ~0.8–1.0 дБ (очень низкие, сохраняет мощность сигнала)

Высокая линейность: IIP3 +52 дБм — справляется с сильными сигналами без искажений

Non-reflective (отражающий) дизайн на отключённом порту — минимум отражений, лучше VSWR

Управление: 0 / +3 В или 0 / +5 В (TTL/CMOS-совместимое, очень низкое потребление тока)

Есть вход EN (Enable) — для полного выключения чипа (экономия энергии + защита)

Разъёмы: 3 x SMA-female (RFC — общий, RF1 и RF2 — выходы)

Питание: +3…+5 В (стабилизатор не нужен — работает напрямую от 3.3 В или 5 В)

Готовый модуль на текстолите с качественной пайкой

Отверстия под винты для крепления

Чёткая маркировка всех выводов (CTRL, VDD, EN, GND, RFC, RF1, RF2)

Где используется особенно успешно:

Переключение антенн в SDR (HackRF, LimeSDR, Pluto и др.)

Тестовые стенды и матричные коммутаторы

Устройства MIMO, beamforming

Лабораторное оборудование до 6 ГГц

Проекты с Wi-Fi 6E, 5G sub-6, C-Band

Высококачественные аттенюаторы / фильтры с байпасом.

Технические характеристики:

Название детали: модуль радиочастотного коммутатора HMC849-W

Материал: печатная плата

Цвет: черный

Вносимые потери и изоляция соответствуют следующим параметрам S21

Напряжение питания: 3–5 В

Входное и выходное сопротивление: 50 Ом

Входной и выходной интерфейс: SMA-female (гнездо)

Размер: 3,5*3 см (без учета разъемов SMA).

Комплектация:

1 х модуль радиочастотного коммутатора HMC849-W.

Основные
ПроизводительAnalog Devices
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Изоляциядо 60 дБ
Вид товараRF Switch
Діапазон частотDC-6 ГГц
КонфигурацияSPDT
МікросхемаHMC849
Напряжение питания3-5 В
РазъемSMA
  • Цена: 1 069 ₴